内存图解,手把手教你认识内存

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内存图解,手把手教你认识内存

内存在整个主机中担当重要的角色,数据交换的瓶颈。现在大规模集成电路技术的发展,整条内存条上的元件很少,只有集成电路和电阻、电容之类。下面以早期的SDRAM即是以淘汰的SD内存详细讲解内存条,新出的DDR3内存虽然存在很大的差别,但是各个元件也是该有的都有。
1、电路板(PCB)
  采用的多层结构,并不只是为了让电源线路和信号线路隔离。内存条工作在100MHZ、133MHZ甚至更高的频率之下,这时,信号之间的高频干扰就不能视而不见了。
   从电磁学的角度来说,交叉的线路之间发生干扰的几率最大,在内存这样的小面积的双面印刷电路板中,要避免信号线路交叉几乎是不可能的,因此,必须采用屏蔽的方式来防止;而且屏蔽也必须是分离屏蔽,因为同一个导体屏蔽的话,中间的屏蔽导体又会变成一个导磁体,效果很差。
   线路上的走线是主要的辐射源,走线产生的辐射主要是由于逻辑电路中电源的突变,在导线上产生了感应电压,这个电压会产生较强的辐射。
   另外,导线起着辐射天线的作用,因此导线的长度越长,辐射效率越高。因此,线路板布线的基本原则是,减小导线的电感,如使用最短的走线,电流较大的电源线和粗些的地线。


2、内存芯片
  内存芯片才是真正意义上的“内存”,因为对于SDRAM内存系统而言,所有的数据的存取都是通过对内存芯片进行充电和放电进行的。由于内存芯片内部的大致结构是安装在一定的地址上的一排电容和晶体管,当我们向内存写入时,系统就会对内存地址进行定位,确定横向和纵向地址,确定存储单元的位置,然后进行充电(或放电)。内存芯片就是在这样的“充电-放电”的不断循环中保存数据的。

内存芯片封装技术
  封装技术就是一种将集成电路打包的技术。因为芯片必须与外界隔离,以防止空气中的杂质对芯片电路的腐蚀而造成电学性能下降。另一方面,封装后的芯片也更便于安装和运输。由于封装技术的好坏还直接影响到芯片自身性能的发挥和与之连接的PCB(印制电路板)的设计和制造。

TSOPII封装
  TSOP英文全称为Thin Small Outline Package(薄型小尺寸封装),TSOPII是出现的内存第二代封装技术的代表。80年代普遍采用的封装技术90%采用TSOPII技术,TSOP的一个典型特征就是在封装芯片的周围做出引脚,如SDRAM的IC为两侧有引脚,SGRAM的IC四面都有引脚。
   TSOP适合用SMT表面安装技术在PCB上安装布线,封装外形尺寸,寄生参数减小,适合高频应用,操作方便,可靠性高。但是随着时间的推移和技术的进步,TSOP已越来越不适用于高频、高速的新一代内存。

Sim BGA
Tiny BGA
WBGA
  BGA为Ball-Gird-Array的英文缩写,即球形封装,是新一代的芯片封装技术。它已经在笔记本电脑的内存、主板芯片组等大规模集成电路的封装领域得到了广泛的应用。
   应用这一技术的主要有Tonicom的Sim BGA、Kingmax的Tiny BGA以有Apacer的WBGA等。
   采用BGA技术的芯片面积与封装面积之比不小于1:1.14,可以使内存在体积不变的情况下容量提高两到三倍,具有更小的体积,更好的散热性能和电气性能。
   BGA封装内存的引脚是由芯片中心方向引出的,而TSOP则是由四周引出。这有效地缩短了信号的传导距离,信号传输线的长度仅是传统的TSOP技术的四分之一,因此信号的衰减便随之减少。
   这样不仅大幅度升芯片的抗干扰、抗噪性能,提高了电气性能,另外与传统TSOP封装方式相比,BGA封装方式有更加快速和有效的散热途径。

3、SPD:

   SPD是英文Serial Presence Detect的缩写。它指的是内存条上一个较一般SDRAM IC小的E2PROM器件以及它里边记录的数据。
   SPD里面的数据有128Byte,每一个都代表特定的意思,分别指出该内存条的各种信息,包括容量、组成结构、性能参数以及厂家信息等。
   SPD可以为主板提供内存条的容量、组成及其性能参数,使主板得以完全根据内存的性能来配置内存的工作,从而可以充分发挥内存条的性能。
4、排阻:

  这种电阻和一般的电阻唯一的区别就是它是由好几个电阻组成的,当然,他们之间是没有任何联系的。
   内存上的电阻有10欧和22欧两种,使用10欧的电阻的内存信号很强,对主板的兼容性较好,便其阻抗也低,经常因信号过强导致系统死机,而使用22欧电阻的内存, 优缺点与前者正好相反。内存厂家往往从成本考虑使用10欧电阻。

5、电容:

贴片电容作用和其他地方一样,主要用来滤波的,用于滤除高频干扰。
 

    来源:电脑硬件DIY吧  作者:电脑diy爱好者  更新时间:2010-08-18 09:13
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