内存术语解释_硬件术语大全

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内存术语解释_硬件术语大全

硬件术语大全:内存术语解释

内存种类
目前,桌面平台所采用的内存为DDR1/DDR2/DDR3三种,其中DDR1内存已经基本上被淘汰,而DDR2和DDR3是目前的主流。三种类型DDR内存之间,从内存控制器到内存插槽都互不兼容。即使是一些在同时支持两种类型内存的Combo主板上,两种规格的内存也不能同时工作,只能使用其中一种内存。


内存容量是指该内存条的存储容量,是内存条的关键性参数。内存容量以MB作为单位,可以简写为M。内存的容量一般都是2的整次方倍,比如512MB、1GB、2GB等,一般而言,内存容量越大越有利于系统的运行。


内存主频和CPU主频一样,习惯上被用来表示内存的速度,它代表着该内存所能达到的最高工作频率。内存主频是以MHz(兆赫)为单位来计量的。内存主频越高在一定程度上代表着内存所能达到的速度越快。内存主频决定着该内存最高能在什么样的频率正常工作。目前较为主流的内存频率是800MHz的DDR2内存,以及1333MHz的DDR3内存。

内存的速度:内存的速度是以每笔CPU与内存间数据处理耗费的时间来计算,为总线循环(bus cycle)以奈秒(ns)为单位。

内存模块 (Memory Module):提到内存模块是指一个印刷电路板表面上有镶嵌数个记忆体芯片chips,而这内存芯片通常是DRAM芯片,但近来系统设计也有使用快取隐藏式芯片镶嵌在内存模块上内存模块是安装在PC 的主机板上的专用插槽(Slot)上镶嵌在Module上DRAM芯片(chips)的数量和个别芯片(chips)的容量,是决定内存模块的设计的主要因素。


内存控制器(Memory Controller)
内存控制器是计算机系统内部控制内存并且通过内存控制器使内存与CPU之间交换数据的重要组成部分。内存控制器决定了计算机系统所能使用的最大内存容量、内存BANK数、内存类型和速度、内存颗粒数据深度和数据宽度等等重要参数,也就是说决定了计算机系统的内存性能,从而也对计算机系统的整体性能产生较大影响。

内存时序参数
内存时序(CL)由“CL-tRCD-tRP-tRAS”四个参数组成,一定程度上反映出了该内存在CPU接到读取内存数据的指令后,到正式开始读取数据所需的等待时间。不难看出同频率的内存,CL设置低的更具有速度优势。一般我们在查阅内存的时序参数时,如“8-8-8-24”这一类的数字序列,上述数字序列分别对应的参数是“CL-tRCD-tRP-tRAS”。

内存SPD
SPD(Serial Presence Detect): SPD是一颗8针的EEPROM(Electrically Erasable Programmable ROM 电可擦写可编程只读存储器), 容量为256字节,里面主要保存了该内存的相关资料,如容量、芯片厂商、内存模组厂商、工作速度等。SPD的内容一般由内存模组制造商写入。支持SPD的主板在启动时自动检测SPD中的资料,并以此设定内存的工作参数。
 

BANK:BANK是指内存插槽的计算单位(也有人称为记忆库),它是计算机系统与内存间资料汇流的基本运作单位。
  

SIMM (Single In-line Memory Module):电路板上面焊有数目不等的记忆IC,可分为以下2种型态:
  


SO-DIMM (Small Outline Dual In-line Memory Module) (144PIN): 这是一种改良型的DIMM模块,比一般的DIMM模块来得小,应用于笔记型计算机、列表机、传真机或是各种终端机等。

PLL: 为锁相回路,用来统一整合时脉讯号,使内存能正确的存取资料。

6层板和4层板(6 layers V.S. 4 layers): 指的是电路印刷板PCB Printed Circuit Board用6层或4层的玻璃纤维做成,通常SDRAM会使用6层板,虽然会增加PCB的成本但却可免除噪声的干扰,而4层板虽可降低PCB的成本但效能较差。

Register:是缓存器的意思,其功能是能够在高速下达到同步的目的。

Parity和ECC的比较:同位检查码(parity check codes)被广泛地使用在侦错码(error detection codes)上,他们增加一个检查位给每个资料的字元(或字节),并且能够侦测到一个字符中所有奇(偶)同位的错误,但Parity有一个缺点,当计算机查到某个Byte有错误时,并不能确定错误在哪一个位,也就无法修正错误。

缓冲器和无缓冲器(Buffer V.S. Unbuffer):有缓冲器的DIMM 是用来改善时序(timing)问题的一种方法无缓冲器的DIMM虽然可被设计用于系统上,但它只能支援四条DIMM。若将无缓冲器的DIMM用于速度为100Mhz的主机板上的话,将会有存取不良的影响。而有缓冲器的DIMM则可使用四条以上的内存,但是若使用的缓冲器速度不够快的话会影响其执行效果。换言之,有缓冲器的DIMM虽有速度变慢之虞,但它可以支持更多DIMM的使用。
  
自我充电 (Self-Refresh):DRAM内部具有独立且内建的充电电路于一定时间内做自我充电, 通常用在笔记型计算机或可携式计算机等的省电需求高的计算机。

预充电时间 (CAS Latency):通常简称CL。例如CL=3,表示计算机系统自主存储器读取第一笔资料时,所需的准备时间为3个外部时脉 (System clock)。CL2与CL3的差异仅在第一次读取资料所需准备时间,相差一个时脉,对整个系统的效能并无显著影响。

时钟信号 (Clock):时钟信号是提供给同步内存做讯号同步之用,同步记忆体的存取动作必需与时钟信号同步。

电子工程设计发展联合会议 (JEDEC):JEDEC大部分是由从事设计、发明的制造业尤以有关计算机记忆模块所组成的一个团体财团,一般工业所生产的记忆体产品大多以JEDEC所制定的标准为评量。

只读存储器ROM (Read Only Memory):ROM是一种只能读取而不能写入资料之记燱体,因为这个特所以最常见的就是主机板上的 BIOS (基本输入/输出系统Basic Input/Output System)因为BISO是计算机开机必备的基本硬件设定用来与外围做为低阶通信接口,所以BISO之程式烧录于ROM中以避免随意被清除资料。

EEPROM (Electrically Erasable Programmable ROM):为一种将资料写入后即使在电源关闭的情况下,也可以保留一段相当长的时间,且写入资料时不需要另外提高电压,只要写入某一些句柄,就可以把资料写入内存中了。

EPROM (Erasable Programmable ROM):为一种可以透过紫外线的照射将其内部的资料清除掉之后,再用烧录器之类的设备将资料烧录进 EPROM内,优点为可以重复的烧录资料。

来源:电脑硬件DIY吧  作者:电脑diy爱好者  更新时间:2010-08-10 22:46
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